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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
61
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
34
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2739
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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