RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
54
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
33
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3131
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link