RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
1984
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link