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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
54
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
45
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2036
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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