RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1578
2356
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link