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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
27
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2204
2288
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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