RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3279
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link