RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3657
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link