RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
54
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
54
Velocità di lettura, GB/s
9.7
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2176
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link