RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
71
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
35
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2426
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link