RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
71
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
45
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3233
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link