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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
71
Intorno -209% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
23
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2660
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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