RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
71
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
27
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
5.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1774
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link