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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
41
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
41
Velocità di lettura, GB/s
13.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2154
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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