RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
56
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
56
Velocità di lettura, GB/s
13.7
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link