RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
41
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
32
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
1897
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link