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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
3224
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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