RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
81
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
81
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1456
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link