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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

PNY Electronics PNY 2GB Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 12.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 6.2
    Valore medio nei test
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 12.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 6.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 1970

PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Memoria RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Memoria RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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