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PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
27
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
22
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3411
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XF875V-HYA 8GB
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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