RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
38
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
36
Velocità di lettura, GB/s
16.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2581
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link