RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2001
3701
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link