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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
13.2
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
3837
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160BJ.M8F 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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