RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
79
Intorno 47% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
79
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
1710
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link