RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
9.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2528
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link