RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
11.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3119
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link