RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
27
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
3245
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link