RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
2904
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link