RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
26
Velocità di lettura, GB/s
11.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
3648
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link