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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
45
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2556
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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