RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3189
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
UMAX Technology 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link