RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
25
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
22
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3135
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link