RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3193
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link