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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2613
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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