RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2935
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link