RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3758
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link