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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3416
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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