RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3819
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link