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Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Confronto
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601S2LS 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.3
7.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
7.6
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1160
1793
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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