RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
1426
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link