RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3520
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link