RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
69
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
28
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
4065
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link