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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
69
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
66
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
1877
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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