RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
69
99
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
99
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
1499
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link