RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
58
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
22
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3987
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link