RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1762
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link