RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3416
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link