RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3392
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link