RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
35
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2903
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link