RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2763
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link